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晶片級器件底部填充作為一種新工藝仍需進一步提高及優化,其工藝為:在晶片級器件制作過程中,晶圓底部加填充材料,這種填充材料在芯片成型時一步到位,免掉了外封裝工藝,這種封裝體積小,工藝簡單,可謂經濟實惠。然而,該新型封裝器件面臨一個嚴峻的考驗,即:用于無鉛焊接工藝。這就意味著:即要保證器件底部填充材料與無鉛焊料的兼容,又要滿足無鉛高溫焊接要求,保證焊接點的可靠性及生產產量。
近期為無鉛CSP底部填充研發了幾種新型材料,這些填充材料滴涂到晶圓上,呈透明膠狀(半液態)物質,經烘烤,呈透明狀固態物質,這樣分割晶圓時可保證晶片外形的完整性,不會出現晶片分層或脆裂。在這篇文章中,我們探討一下烘烤對晶圓翹曲度的影響?烘烤是否引發底部填充材料的脆裂?以及回流過程中底部填充物的流動引起的焊料拖尾問題?因為底部填充材料即要保證焊料不拖尾,又要保證焊點的可靠性,及可觀察到的焊料爬升角度,同時,底部填充材料的設計必須保證烘烤階段材料的流動,固化情況處于可控工藝窗口之內。另外,底部填充材料與焊接材料的匹配標準在本文中也有討論。
關鍵詞語:晶片,底部填充,表面貼裝技術,倒插芯片,CSP封裝,無鉛,烘烤
背景:
FC及CSP封裝器件要求底部填充材料在焊接過程中能夠與焊球、PCB完美結合,增加焊點的抗疲勞能力。底部填充工藝方便、簡單,將半液態填充材料施加在焊球與器件基板之間的間隙即可。對于節點尺寸大、I/O接口多的器件,填充材料的填充高度必須一致,實踐證明:底部填充非常耗時,尤其FC封裝器件,是大批量生產的瓶頸。
晶片底部填充工藝(WLUF)首先是在大的晶圓上直接施加膠狀(半液態)底部填充材料,然后大的晶圓經烘烤階段(B-Stage)固化,使其失去粘性,后,將大晶圓分割成晶片,切割好的晶片獨立包裝,即可發往客戶。器件在裝配過程中,被貼放于PCB上回流焊接,器件在該階段,焊料經助焊劑揮發作用回流形成焊點,與此同時,底部填充材料也經過熔融,固化的步驟,對焊點的形成起幫助保護作用。綜上所述,芯片級封裝器件生產工藝步驟少,價格便宜。
芯片級封裝器件,從晶圓﹑底部填充材料﹑到PCB裝配結束,底部填充材料經過:膠狀底部填充材料滴涂到大晶圓上→底部填充材料固化→晶圓切割→晶片上底部填充材料在PCB回流過程中液化→再固化,具體實施請看下列步驟:
1.滴涂:要求底部填充材料流動性好,便于滴涂。
2.烘烤/切割:經烘烤階段的底部填充材料,不能有空洞,應為無缺陷的透明填充膜,該填充膜的玻璃轉化溫度(Tg)必須高于室溫,使其在室溫環境下切割時沒有粘性,刮刀無粘連。
3.助焊:底部填充材料具有助焊功能,器件在回流過程中,底部填充材料可以幫助清除焊球﹑焊料﹑PCB表面氧化層,并隨焊球同步延伸,具有同樣的張力,同時,填充材料在助焊階段不能產生任何揮發物,以保證填充穩定性。
4.回流:回流過程中,底部填充物必須流動以確保焊接的形成,同時,覆蓋焊點形成保護膜,該保護膜加強焊點與器件基板連接可靠性。
5.固化:底部填充材料經回流后必須固化,以確保焊點形成剛性結構,但該固化時間必須遲于焊料的固化,以保證焊點形成,對于體積大,I/O接口多的器件,經過回流固化后的PCB需再經過低溫烘烤,保證底部填充物的充分固化。
6.焊膏:標準的smt裝配過程中,焊膏印刷在PCB焊盤上,從而在回流后形成機械,電氣連接,焊膏回流后形成一定的焊點高度,底部填充則增加焊點可靠性,理想狀態下,底部填充應縮小焊料范圍,并保證回流過程中焊料收縮,無拖尾。
7.返工/返修:底部填充材料必須具備可返工/返修功能,以保證缺陷焊接的返工/返修,因此要求底部填充材料在>220℃時,剪切強度要小,且殘留物要容易清除。
8.材料特性(Tg,CTE,E):底部填充材料必須滿足小的CTE﹑模量系數及Tg要求,滿足封裝可靠性要求,并能通過溫度循環,潮濕阻抗測試。
與無鉛工藝匹配的WLUF:
現在大多數以鉛為基材的焊球采用C4材料,即63%Sn37%Pb,熔點為183℃,符合EU與日本電子元器件生產的立法要求,無鉛焊接材料有Sn3.5Ag0.7Cu,熔點217℃;SnCu0.7,熔點227℃;Sn3.4Ag1.0Cu3.3Bi,熔點210℃,意味著對于無鉛回流焊接,回流峰值溫度至少增加了40℃。
A. 由于回流溫度升高,對底部填充材料的新要求:
1.熱穩定性有待提高:底部填充材料在回流過程中,溫度要達到260℃,與無鉛焊接材料兼容,在此溫度下大多數有機材料已接近其峰值溫度,因此,底部填充材料的熱穩定性有待提高。
2.底部填充材料助焊能力有待提高:無鉛焊料合金因表面抗腐蝕力降低,因而更易氧化,為此,底部填充材料必須具有更強的助焊能力,在回流過程中去除金屬氧化物,提高助焊效果。
3.固化延時:因無鉛焊料熔融溫度升高了近40℃,底部填充材料固化必須在焊點形成之后開始,因此,開始固化時間要延時。
4.縮小焊膏拖尾:無鉛焊膏凝聚力小,易流動及出現拖尾現象,過度的拖尾會導致細間距器件短路,因此,底部填充材料必須保證對印刷好的焊料施加小力的作用。
B. 烘烤階段對WLUF產生影響的三個步驟:
1.底部填充材料的流動:烘烤階段開始底部填充材料呈半液體狀,且粘性小,允許焊球與焊盤之間在焊球塌落時形成良好焊接,底部填充材料的粘性對填充保護膜的形成也是非常重要的。底部填充材料的流動性是通過TMA探針對烘烤階段底部填充材料厚度進行測試得出的結論,TMA擠壓流動測試器在后面有詳細描述。
2.烘烤后晶圓的翹曲及底部填充材料的脆裂:晶圓翹曲程度是由于在回流冷卻過程中,硅晶圓與底部填充材料CTE不匹配形成的內應力造成的,與硅晶圓的CTE﹑底部填充材料的模量系數﹑Tg及室溫有關,由以上幾個因素引起的內應力可由下列公式計算:
其中:б:作用在晶圓上的應力
E:底部填充材料的模量系數
△CTE:CTE差值
Tg-T:玻璃轉換溫度與室溫差值
(烘烤后退火處理可減少作用在晶圓上的應力,應力減少過程可通過DSC監控)
組裝過程中焊膏拖尾現象:無鉛焊膏流動性大,易拖尾,底部填充材料/無鉛焊膏組裝工藝要不斷優化,分析底部填充材料與無鉛焊料特性,減少拖尾現象的產生。
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